美光科技海力士三星低市盈率

① 迄今最強的五款手機晶元！

在2023年至2024年期間，智能手機市場持續發展，各大廠商紛紛發布新款型號，其中處理器作為核心部件備受關注。以下是五款目前最強勁的手機晶元，涵蓋不同品牌與設計特色。

三星「Galaxy S24」採用了三星自家的Exynos 2400處理器，這顆晶元基於4nm工藝，採用AMD的RDNA3 GPU架構，集成10核Arm CPU、GPU、DSP等，並配備AI引擎和5G數據機。Exynos 2400的自給率極高，主要由三星內部生產，包括存儲內存和RAM，實現高集成度。

小米14 Pro搭載高通的Snapdragon 8 Gen 3處理器，同樣基於4nm工藝，採用8核CPU、12核GPU、專有AI引擎和5G數據機。值得注意的是，內存組件來自多個供應商，包括美光科技、SK海力士、三星等，體現了高通與多家內存廠商的合作。

vivo X100 Pro採用了聯發科頂級平台天璣9300，同樣基於4nm工藝製造，配備8核CPU、12核GPU，並搭載聯發科專有的APU 790 AI引擎。盡管自給率相對較低，但天璣9300在晶體管數量上超過蘋果A17 Pro，達到227億顆，性能表現同樣強勁。

谷歌Pixel 8和蘋果iPhone 15 Pro則分別搭載Tensor G3和A17 Pro處理器。這兩款處理器採用不同製造商的工藝，但均未內置5G數據機，具有獨特的設計特色。雖然在CPU配置、製造工藝等方面存在差異，但從整體性能和功能來看，三星和台積電的處理器在這一時期表現相當接近。

以上五款晶元分別代表了三星、高通、聯發科、谷歌和蘋果在手機處理器領域的最新成果，它們在性能、能效和功能方面各具特色，共同推動了智能手機技術的發展。在比較這五款晶元時，可以看出雖然在某些細節上有所差異，但整體上，三星和台積電的處理器在性能上幾乎不分伯仲。

② 東芯股份中簽號

688110東芯股份申購時間為2021年12月1日，申購代碼為787110，東芯股份中簽號在12月3號早上公布，發行總數為11056.244萬股，發行市盈率為760.38，行業市盈率為48.8。 【東芯股份中簽號結果】
末「四」位數：3448，8448，7495
末「五」位數：17904，37904，57904，77904，97904
末「七」位數：6304468，7554468，8804468，5054468，3804468，2554468，1304468，0054468，8172198
末「八」位數：19684423，69684423
東芯半導體股份有限公司是中國大陸領先的存儲晶元設計公司，聚焦中小容量通用型存儲晶元的研發、設計和銷售，是中國大陸少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM等存儲晶元完整解決方案的公司，並能為優質客戶提供晶元定製開發服務。公司的主要產品為存儲晶元、NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP、技術服務。公司先後獲得「第七屆中國電子信息博覽會創新獎」、「2019年度上海市『專精特新』中小企業」、「2020年度中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器」、「上海市集成電路行業協會20周年『行業新芯獎』」等榮譽稱號。
拓展資料：
東芯股份經營模式
1、盈利模式
集成電路行業的產業鏈主要包括集成電路設計、晶圓製造、封裝測試等環節根據是否從事晶圓製造、封裝測試等生產環節，集成電路行業的經營模式主要分為IDM模式與Fabless模式。
IDM為垂直整合製造模式，此模式下企業獨立從事晶元設計、晶圓製造、封裝測試等全部業務環節，目前存儲晶元行業巨頭如三星電子、海力士、美光科技等企業均為IDM模式。
Fabless為無晶圓廠模式，企業主要從事晶元設計及銷售業務，將晶圓製造、封裝測試等生產環節委託給第三方企業完成。隨著分工模式的興起，行業新進企業為了將資源集中投入設計研發環節，多數採用Fabless模式，此模式下減少大規模資本性投入，有利於晶元設計類企業集中資源於電路優化、版圖設計、模擬模擬等核心環節。
2、采購模式和生產模式
公司採用典型Fabless經營模式開展業務，主要負責晶元設計以及晶圓測試、晶元測試等核心環節的研發工作，通過委託晶圓代工廠加工晶圓，委託晶圓測試廠、封裝測試廠商進行封裝測試來完成最終產品生產。 生產運營部根據市場部提出的需求計劃，基於對於未來市場情況的研判，結合公司存貨狀態，形成生產計劃並向晶圓代工廠下達生產訂單。製造完畢的晶圓由公司安排運送至晶圓測試廠和封裝測試廠商，進行晶圓測試及產品封測。
3、銷售模式
經銷模式有效提高了行業內企業的運作效率，助推企業快速發展。在經銷模式下，作為上下游產業的紐帶，經銷商在開拓市場、提供客戶維護、加快資金流轉等方面具有優勢。直銷模式下，企業與終端客戶保持緊密聯系，通過與終端客戶的直接交流有助於及時感知行業變化趨勢，縮短了公司的銷售流程，精準把握市場需求，促進產品技術創新與改進，不斷推出滿足市場需求的優質產品。

③ 一文讀懂AI時代GPU的內存新寵-HBM

HBM，即高帶寬內存，專為高性能計算和GPU設計，解決內存帶寬與容量需求。
隨著計算需求增長，傳統內存技術難滿足高性能計算與GPU需求，HBM應運而生。
HBM採用3D堆疊DRAM技術，通過垂直互連提高帶寬與容量，減少物理尺寸，與GDDR5相比，具有更低功耗。
第五代HBM3E為HBM系列最新發展，GPU普遍支持2至8顆堆疊，最大達12層，展現集成與性能優勢。
美光科技批量生產HBM3E，用於英偉達H200 Tensor Core GPU，24GB 8H產品提供1.2TB/s帶寬，AI加速器與超級計算機應用得到顯著加速。
H200 GPU搭載6顆HBM3E 24GB內存，理論上內存容量與帶寬可達144GB與7.2TB/s，實際量產調整為141GB與4.8TB/s，確保用戶獲得穩定高效的AI訓練體驗。
HBM不斷迭代，增加容量與帶寬，最高可達12層堆疊，數據傳輸速率從HBM1的1Gb/s提升至HBM3e的9.2Gb/s，帶寬從128GB/s增至1.2TB/s。
HBM4預期採用16層堆疊與2048bit匯流排位寬，標准尚未確定。
HBM市場由三大存儲巨頭主導：SK海力士、三星電子與美光科技。
SK海力士為HBM技術領軍者，三星電子在全球半導體領域具有強大的研發與生產能力，美光科技雖起步較晚，但憑借技術實力追趕市場格局。
總體而言，HBM技術引領內存技術發展，滿足高性能計算與GPU對內存帶寬與容量的需求，市場由主要存儲巨頭主導，技術不斷迭代與創新。